従来のSi(シリコン)パワーデバイスに比べて、パワエレ機器の電力損失を大幅に削減できる「SiC(シリコンカーバイド)」のパワーデバイスを利用する環境が急速に整ってきました。鉄道や再生可能エネルギー、自動車、産業機器といったさまざまな分野において、インバーターやコンバーター、電源といったパワーエレクトロニクス機器(パワエレ機器)で利用されています。

 中でも自動車業界は、電動化の流れの中、SiCパワーデバイスへの関心を高めています。これまでは車載充電器への適用が主でしたが、2020年代にはいよいよ駆動モーターを制御するインバーターへの適用が本格的に始まりそうです。

 さまざまな分野での採用が増えるにつれて、SiCパワーデバイスの評価方法や標準化の動きにも関心が高まっています。

 そこで、7月18日開催のNE先端テクノロジーフォーラムでは、SiCパワーデバイスの技術動向や市場動向、応用、標準化の動きまで、幅広いトピックを紹介します。例えば、パワーデバイス最大手のドイツInfineon Technologiesが、SiCパワーデバイスの最新動向について講演します。自動車応用について、トヨタ自動車の方が登壇します。パワーデバイスの市場動向については、半導体業界に詳しいIHSマークイットの杉山和弘氏にお話いただきます。

※講師交代のお知らせ:当初IHSマークイットの講師は南川明氏の予定でしたが、事情により変更になりました。

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開催概要

日時
2019年7月18日(木) 13:00~18:00 予定(開場 12:30)

※セミナー終了後に名刺交換会を行います

会場
ベルサール飯田橋ファースト HALL A (東京都文京区後楽2-6-1住友不動産飯田橋ファーストタワーB1)
JR 飯田橋駅下車 徒歩5分

※『ベルサール飯田橋駅前』ではありません。ご注意ください。

主催
日経エレクトロニクス、日経 xTECH
協賛
インフィニオン テクノロジーズ ジャパン
受講料
有料 ¥10,800- (税込/事前登録制)

※本セミナーは、パワーデバイスを使った機器や電力変換器の開発・設計、製造に携わる方を対象としております。パワーデバイス・メーカー、材料メーカーの方、ならびに該当する部署の方のご受講は、主催者の判断により、お断りさせていただく場合がございますので、予めご了承ください。
ご受講いただける方には後日改めて請求書付きの受講証を発行させていただきますので、当日受講証を必ずお持ちください。

プログラム

※講演者や講演時間など、プログラムは変更になる場合がございます。予めご了承ください。

13:00~

主催者挨拶

13:05~13:45

急拡大するパワー半導体市場に供給は間に合うのか?

IHSマークイット
TMT調査部
杉山 和弘 氏

詳細はこちら

車載や産業機器向けにパワー半導体需要が拡大しているが、2020年以降にさらなる拡大が見えてきた。
一方で8インチ工場やウエハ供給能力には限界があり12インチ化の動きも出始めているが、はたして急拡大する需要に対応するだけの供給能力を整えることはできるのだろうか?また、米中貿易摩擦の影響からパワー半導体業界への影響も無視できなくなってきた。今後の需要と供給の動きを予測してみたい。

13:45~14:20

JEDECによるWBGデバイス評価スタンダード作成の取組み

キーサイト・テクノロジー・インターナショナル
オートモーティブ&エナジー・ソリューションズ プランニング&R&D
ソリューション・アーキテクト/プロジェクト・マネージャ
武田 亮 氏

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ワイドバンドギャップ(WBG)・デバイスが市場で使われ始める中、これらのデバイスの評価方法への関心も高まっています。
JEDECでは、この新しいWBGデバイスのテスト、データシート定義、信頼性に関するスタンダードを確立する委員会(JC-70)を立ち上げました。本講演では、委員会の目的・構成および最新の動向を解説します。

14:20~15:00

拡大するSiC:産業用ユースケースで高いシェアを獲得する方法

Infineon Technologies AG
Senior Director
Dr. Peter Friedrichs

※本セッションには英語→日本語の同時通訳が入ります。

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SiC技術は成熟してきています。そのことに疑いの余地はありません。成功し続けるのに大切なステップは、柔軟で広範な製品ラインナップを取り揃え、業界のさまざまなミッションプロファイルに対応できる技術的対策を講じ、スケーラブルな生産環境を備えることです。本講演では、インフィニオンがこうした要件をどのように応えてきたのかをお伝えします。特に製品ラインアップへの新製品追加、アプリケーション指向の新しい操作ウィンドウ、品質保証プロセスの内部に、重点を置きご紹介します。

15:00~15:10

休憩

15:10~15:50

電動車へのSiC採用とその未来

トヨタ自動車
EHV電子設計部 第31電子設計室長
伊藤 孝浩 氏

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現在、燃費、排ガス規制の進んでいる自動車業界においては急速な電動化が進んでおり、2030年にはグローバル市場の半数以上の規模にまで拡大すると予想されている。
この電動車の燃費または電費向上に大きな影響を与える、次世代パワーデバイスであるSiCの採用の見通しについて、考察します。

15:50~16:25

エネルギーの有効活用に向けた
高耐圧・超高耐圧SiCパワーデバイスの開発状況

国立研究開発法人
産業技術総合研究所 エネルギー・環境領域
先進パワーエレクトロニクス研究センター 上級主任研究員
米澤 喜幸 氏

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SiCはSiと比べては絶縁破壊電界が一桁高く、同じデバイス構造で10倍の耐圧を得ることができる。
よってバイポーラデバイスであるSi-IGBT、PiNを、ユニポーラのSiC-MOSFET、SBDと置き換えることにより、パワエレ機器の大幅な低損失化、小型化が期待されることから、600-3300Vのデバイスの社会実装が始まっている。さらにSiCにスーパージャンクション(SJ)構造、IGBT構造を適用すると、高耐圧、超高耐圧かつ低損失のスイッチング素子を提供することが可能となる。本講演ではこれら次世代の高耐圧・超高耐圧SiCデバイスの開発状況を報告するとともに、MOSFETの内蔵PiNダイオード使用時の問題点と必要な対策について述べる。

16:25~16:45

PCIM EUROPE 2019報告

16:45~17:00

休憩

17:00~17:40

Q&A

17:40~17:55

SiCの最新動向と本日のまとめ

京都大学名誉教授
松波 弘之 氏

18:00~

名刺交換会

講演者と情報交換

お問い合わせ

日経BP読者サービスセンター セミナー係
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TEL:03-5696-1111(土日祝を除く 9:00~17:00)
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